陶瓷

CAS号：12012-35-0

品名：碳化铬Chromiumcarbide

中文别名：二碳化三铬;

英文别名：chromium(2+),methanidylidynechromium;

分子式：C2Cr3

分子量：180.01

精确质量：179.822

Psa：0.0

EINECS号：234-576-1

MDL号：MFCD00016041

PubChem号：24865108

外观与性状：无气味的灰色粉末

密度：6.68

沸点：3800ºC

熔点：1890ºC

稳定性：Decomposition will not occur if used and stored according to specifications.

储存条件：Store under dry inert gas. Protect from humidity and water. Keep container tightly sealed. Store in cool, dry conditions in well sealed containers.

危险品运输编码：UN3178

危险类别：4.1

包装等级：III

简介：Chromiumcarbideisaceramiccompoundthatexistsinseveraldifferentchemicalcompositions:Cr3C2,Cr7C3,andCr23C6.Atstandardconditionsitexistsasagraysolid.Itisextremelyhardandcorrosionresistant.Itisalsoarefractorycompound,whichmeansthatitretainsitsstrengthathightemperaturesaswell.Thesepropertiesmakeitusefulasanadditivetometalalloys.Whenchromiumcarbidecrystalsareintegratedintothesurfaceofametalitimprovesthewearresistanceandcorrosionresistanceofthemetal,andmaintainsthesepropertiesatelevatedtemperatures.ThehardestandmostcommonlyusedcompositionforthispurposeisCr3C2.

用途：它是一种在高温环境下具有良好的耐磨、耐腐蚀、抗氧化的高熔点的材料，与镍铬合金制得的硬质合金颗粒，采用等离子喷涂法，可作为耐高温、耐磨、耐氧化与耐酸涂层，广泛用在飞机发动机和石油化工机械器件上，可大大提高机械的寿命。也常用作硬质合金的晶粒细化剂及其他耐磨、耐腐蚀元件。以Cr3C2为基的金属陶瓷在高温下有极优异的抗氧化性能。用于碳化铬陶瓷。粗粒碳化铬作为熔喷材料在金属及陶瓷表面形成熔喷覆膜，赋予后者以耐磨、耐热、耐蚀等性能，广泛用于飞机发动机及石油化工机械器件上，以大大提高机械寿命。亦用于喷制半导体膜。

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CAS号：12018-09-6

品名：硅化铬Chromiumsilicide

中文别名：硅化铬

英文别名：CHROMIUMSILICIDE;

分子式：CrSi2

分子量：108.167

精确质量：107.894

Psa：0.0

EINECS号：234-633-0

MDL号：MFCD00168070

外观与性状：银色至黑色粉末,无气味的

密度：4.7

熔点：1490ºC

安全说明：S7

危险类别码：R20/21/22

海关编码：2901299090

危险品标志：Xn

简介：Chromium(II)silicideisaninorganiccompoundwiththechemicalformulaCrSi2.

用途：用作陶瓷材料、高电阻薄膜材料。

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CAS号：25617-97-4

品名：氮化镓azanylidynegallane

中文别名：氮化镓

英文别名：Galliumnitride;EINECS247-129-0;nitridogallium;Galliummononitride;

分子式：GaN

分子量：83.7297

精确质量：82.9286

Psa：23.79

RTECS号：LW9640000

EINECS号：247-129-0

MDL号：MFCD00016108

外观与性状：灰色/黄色结晶固体

密度：

熔点：800ºC

稳定性：Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.

安全说明：S22; S24/25

危险类别码：R36; R37; R38; R43

简介：氮化镓（GaN、Galliumnitride）是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（directbandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumpedsolid-statelaser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

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CAS号：12063-98-8

品名：磷化镓gallanylidynephosphane

中文别名：磷化镓

英文别名：Galliumphosphide;Galliummonophosphide;EINECS235-057-2;

分子式：GaP

分子量：100.697

精确质量：99.8993

Psa：0.0

RTECS号：LW9675000

EINECS号：235-057-2

MDL号：MFCD00016109

PubChem号：24874213

密度：

熔点：1480ºC

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S26

危险类别码：R36/37

危险品运输编码：UN 3288

危险品标志：Xi

信号词：Warning

危险性防范说明：P261; P305 + P351 + P338

危险标志：GHS07

危险性描述：H319; H335

简介：磷化镓（GaP）是镓的磷化物（英语：Phosphide），是无机化合物，也是半导体材料，其间接能隙为2.26eV（300K）。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色，但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子，其颜色会变深。磷化镓无味，不会溶于水。若要变成N型半导体，需要掺杂硫或是碲，若要制作P型半导体，需要掺杂锌。磷化镓常用在光学系统中，其折射率在波长262nm(UV)时为4.30，波长550nm(green)时为3.45，波长840nm(IR)时为3.19。

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CAS号：12007-23-7

品名：硼化铪hafnium,λ²-boranylideneboron

中文别名：硼化铪

英文别名：Hafniumboride;HAFNIUMBORIDE,HFB(2);

分子式：B2H4Hf-

分子量：204.144

精确质量：205.996

Psa：0.0

EINECS号：234-500-7

MDL号：MFCD00016125

外观与性状：液体或固体

密度：10.5

熔点：3250ºC

生产方法：1.氯化铪、氢和溴化硼的混合物通过红热的钨丝可以制得硼化铪.

简介：Hafniumdiborideisanultrahightemperatureceramiccomposedofhafniumandboron.Ithasameltingtemperatureofabout3250degreesCelsius.Itisanunusualceramic,havingrelativelyhighthermalandelectricalconductivities,propertiesitshareswithisostructuraltitaniumdiborideandzirconiumdiboride.Itisagrey,metalliclookingmaterial.Hafniumdiboridehasahexagonalcrystalstructure,amolarmassof200.11gramspermole,andadensityof10.5gramspercubiccentimeter.

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CAS号：22398-80-7

品名：磷化铟INDIUMPHOSPHIDE

中文别名：磷化铟(III);

英文别名：Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;

分子式：InP

分子量：145.792

精确质量：145.878

Psa：0.0

RTECS号：NL1800000

EINECS号：244-959-5

MDL号：MFCD00016153

PubChem号：24862718

密度：4,787 g/cm3

熔点：1070°C

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S24/25

WGK Germany：3

危险品运输编码：3288

简介：磷化铟（Indiumphosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。

用途：用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1～6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。

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CAS号：12008-21-8

品名：硼化镧Lanthanumboride

中文别名：硼化镧

英文别名：Lanthanumhexaboride;

分子式：B6La

分子量：203.772

精确质量：204.962

Psa：0.0

EINECS号：234-531-6

MDL号：MFCD00151350

PubChem号：24854496

密度：2.61g/mLat 25°C(lit.)

熔点：2530°C

WGK Germany：3

简介：六硼化镧是一种无机化合物，化学式为LaB6。它是一个超导体，相变温度只有0.45K。LaB6热阴极

用途：用途十分广泛,已成功应用于雷达航空航天、电子工业、仪表仪器、医疗器械、家电冶金、环保等二十余个军事和高科技领域。其系列产品主要包括三种粉末、多晶体、单晶体。特别是六硼化镧单晶,是制作大功率电子管、磁控器、电子束、离子束、加速器阴极的最佳材料。

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CAS号：12045-63-5

品名：硼化钛TitaniumBoride

中文别名：硼化钛

英文别名：Titaniumboride;Titaniumboride,powder&<10um;TITANIUMBORIDE;Titaniumdiboride;

分子式：B2Ti

分子量：69.489

精确质量：69.9666

Psa：0.0

EINECS号：234-961-4

MDL号：MFCD00049595

PubChem号：24860372

外观与性状：灰色粉末

密度：

熔点：2900-3225ºC

安全说明：S36

危险类别码：R20/21/22

危险品标志：Xn

信号词：Warning

危险性防范说明：P280

危险标志：GHS07

危险性描述：H302; H312; H332

简介：Titaniumdiboride(TiB2)isanextremelyhardceramicwhichhasexcellentheatconductivity,oxidationstabilityandresistancetomechanicalerosion.TiB2isalsoareasonableelectricalconductor,soitcanbeusedasacathodematerialinaluminiumsmeltingandcanbeshapedbyelectricaldischargemachining.

用途：导电陶瓷、工具陶瓷、导电耐磨耐腐涂层。

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CAS号：12007-09-9

品名：硼化钨boranylidynetungsten

中文别名：硼化钨

英文别名：Tungstenmonoboride;Tungstenboride;EINECS234-498-8;

分子式：BW

分子量：194.651

精确质量：194.96

Psa：0.0

EINECS号：234-498-8

MDL号：MFCD00049708

PubChem号：24846684

密度：

稳定性：<p>硼化钨有WB和W2B两种。WB为黑色或灰色六方结晶粉末，相对密度15.2，晶格常数a=3115nm，c=1.693nm，熔点2660℃，显微硬度3700kg/mm2。具有金属导电性。</p>

储存条件：室温

安全说明：S22-S24/25

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CAS号：12033-62-4

品名：氮化钽azanylidynetantalum

中文别名：氮化钽

英文别名：Tantalummononitride;nitridotantalum;Tantalumnitride;Tantalumnitride(TaN);

分子式：NTa

分子量：194.955

精确质量：194.951

Psa：23.79

EINECS号：234-788-4

MDL号：MFCD00049568

PubChem号：24860112

密度：

熔点：3360°C

WGK Germany：3

简介：Tantalumnitride(TaN)isaninorganicchemicalcompound.Itissometimesusedtocreatebarrieror\&quot;glue\&quot;layersbetweencopper,orotherconductivemetals,anddielectricinsulatorfilmssuchasthermaloxides.Thesefilmsaredepositedontopofsiliconwafersduringthemanufactureofintegratedcircuits,tocreatethinfilmsurfacemountresistorsandhasotherelectronicapplications.

用途：1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

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CAS号：25658-42-8

品名：氮化锆azanylidynezirconium

中文别名：氮化锆

英文别名：Zirconiumnitride;nitridozirconium;EINECS247-166-2;

分子式：NZr

分子量：105.231

精确质量：103.908

Psa：23.79

EINECS号：247-166-2

MDL号：MFCD00049642

外观与性状：棕色粉末

密度：7.09

熔点：2980ºC

危险品运输编码：UN3178

危险类别：4.1

包装等级：III

简介：Zirconiumnitride(ZrN)isaninorganiccompoundusedinavarietyofwaysduetoitsproperties.