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    品牌 产品 货期 价格 货号 规格 /
    陶瓷25658-42-8

    CAS号:25658-42-8

    品名:氮化锆azanylidynezirconium

    中文别名:氮化锆

    英文别名:Zirconiumnitride;nitridozirconium;EINECS247-166-2;

    分子式:NZr

    分子量:105.231

    精确质量:103.908

    Psa:23.79

    EINECS号:247-166-2

    MDL号:MFCD00049642

    外观与性状:棕色粉末

    密度:7.09

    熔点:2980ºC

    危险品运输编码:UN3178

    危险类别:4.1

    包装等级:III

    简介:Zirconiumnitride(ZrN)isaninorganiccompoundusedinavarietyofwaysduetoitsproperties.

     25658-42-8 详细信息

    陶瓷

    CAS号:25658-42-8

    品名:氮化锆azanylidynezirconium

    中文别名:氮化锆

    英文别名:Zirconiumnitride;nitridozirconium;EINECS247-166-2;

    分子式:NZr

    分子量:105.231

    精确质量:103.908

    Psa:23.79

    EINECS号:247-166-2

    MDL号:MFCD00049642

    外观与性状:棕色粉末

    密度:7.09

    熔点:2980ºC

    危险品运输编码:UN3178

    危险类别:4.1

    包装等级:III

    简介:Zirconiumnitride(ZrN)isaninorganiccompoundusedinavarietyofwaysduetoitsproperties.

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    陶瓷25658-42-8
    安耐吉 氮化锆 Zirconiumnitride 期货,请咨询

     1360.00
    A64893 particlesize:100nm,99%
    源叶 氮化锆 Zirconiumnitride 现货

     1290.00
    S45187 99% metalsbasis,400目
    陶瓷12007-23-7

    CAS号:12007-23-7

    品名:硼化铪hafnium,λ<sup>2</sup>-boranylideneboron

    中文别名:硼化铪

    英文别名:Hafniumboride;HAFNIUMBORIDE,HFB(2);

    分子式:B2H4Hf-

    分子量:204.144

    精确质量:205.996

    Psa:0.0

    EINECS号:234-500-7

    MDL号:MFCD00016125

    外观与性状:液体或固体

    密度:10.5

    熔点:3250ºC

    生产方法:1.氯化铪、氢和溴化硼的混合物通过红热的钨丝可以制得硼化铪.

    简介:Hafniumdiborideisanultrahightemperatureceramiccomposedofhafniumandboron.Ithasameltingtemperatureofabout3250degreesCelsius.Itisanunusualceramic,havingrelativelyhighthermalandelectricalconductivities,propertiesitshareswithisostructuraltitaniumdiborideandzirconiumdiboride.Itisagrey,metalliclookingmaterial.Hafniumdiboridehasahexagonalcrystalstructure,amolarmassof200.11gramspermole,andadensityof10.5gramspercubiccentimeter.

     12007-23-7 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12007-23-7

    品名:硼化铪hafnium,λ<sup>2</sup>-boranylideneboron

    中文别名:硼化铪

    英文别名:Hafniumboride;HAFNIUMBORIDE,HFB(2);

    分子式:B2H4Hf-

    分子量:204.144

    精确质量:205.996

    Psa:0.0

    EINECS号:234-500-7

    MDL号:MFCD00016125

    外观与性状:液体或固体

    密度:10.5

    熔点:3250ºC

    生产方法:1.氯化铪、氢和溴化硼的混合物通过红热的钨丝可以制得硼化铪.

    简介:Hafniumdiborideisanultrahightemperatureceramiccomposedofhafniumandboron.Ithasameltingtemperatureofabout3250degreesCelsius.Itisanunusualceramic,havingrelativelyhighthermalandelectricalconductivities,propertiesitshareswithisostructuraltitaniumdiborideandzirconiumdiboride.Itisagrey,metalliclookingmaterial.Hafniumdiboridehasahexagonalcrystalstructure,amolarmassof200.11gramspermole,andadensityof10.5gramspercubiccentimeter.

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    陶瓷12007-23-7
    罗恩 硼化铪 Hafniumboride 5~7个工作日

     1025.00
    R025540 99% (metalsbasisexcludingZr)Zr<2%
    安耐吉 二硼化铪 Hafniumboride 期货,请咨询

     1388.00
    A66948 -100mesh+325mesh,99.9% (excludingZr)
    阿拉丁 硼化铪 Hafniumboride 现货

     1372.90
    H119189 ≥99% metalsbasis,excludingZr,Zr<2%
    源叶 硼化铪 Hafniumboride 现货

     1400.00
    S41371 ≥99% metalsbasis,excludingZr,Zr<2%
    陶瓷12045-63-5

    CAS号:12045-63-5

    品名:硼化钛TitaniumBoride

    中文别名:硼化钛

    英文别名:Titaniumboride;Titaniumboride,powder&<10um;TITANIUMBORIDE;Titaniumdiboride;

    分子式:B2Ti

    分子量:69.489

    精确质量:69.9666

    Psa:0.0

    EINECS号:234-961-4

    MDL号:MFCD00049595

    PubChem号:24860372

    外观与性状:灰色粉末

    密度:

    熔点:2900-3225ºC

    安全说明:S36

    危险类别码:R20/21/22

    危险品标志:Xn

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P280

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H302; H312; H332

    简介:Titaniumdiboride(TiB2)isanextremelyhardceramicwhichhasexcellentheatconductivity,oxidationstabilityandresistancetomechanicalerosion.TiB2isalsoareasonableelectricalconductor,soitcanbeusedasacathodematerialinaluminiumsmeltingandcanbeshapedbyelectricaldischargemachining.

    用途:导电陶瓷、工具陶瓷、导电耐磨耐腐涂层。

     12045-63-5 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12045-63-5

    品名:硼化钛TitaniumBoride

    中文别名:硼化钛

    英文别名:Titaniumboride;Titaniumboride,powder&<10um;TITANIUMBORIDE;Titaniumdiboride;

    分子式:B2Ti

    分子量:69.489

    精确质量:69.9666

    Psa:0.0

    EINECS号:234-961-4

    MDL号:MFCD00049595

    PubChem号:24860372

    外观与性状:灰色粉末

    密度:

    熔点:2900-3225ºC

    安全说明:S36

    危险类别码:R20/21/22

    危险品标志:Xn

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P280

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H302; H312; H332

    简介:Titaniumdiboride(TiB2)isanextremelyhardceramicwhichhasexcellentheatconductivity,oxidationstabilityandresistancetomechanicalerosion.TiB2isalsoareasonableelectricalconductor,soitcanbeusedasacathodematerialinaluminiumsmeltingandcanbeshapedbyelectricaldischargemachining.

    用途:导电陶瓷、工具陶瓷、导电耐磨耐腐涂层。

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    陶瓷12045-63-5
    Fluorochem Titaniumboride Titaniumboride 24.5天

     1232.00
    FLF986929 98% ,4脙炉脗驴脗陆脙炉脗驴脗陆8脙炉脗驴脗陆脙炉脗驴脗陆m% +
    阿拉丁 硼化钛 Titaniumboride 现货

     1029.90
    T305320 ≥99.5% metalsbasis,<15μm
    源叶 硼化钛 Titaniumboride 现货

     1029.00
    S57330 ≥99.5% metalsbasis,<15μm
    陶瓷12033-62-4

    CAS号:12033-62-4

    品名:氮化钽azanylidynetantalum

    中文别名:氮化钽

    英文别名:Tantalummononitride;nitridotantalum;Tantalumnitride;Tantalumnitride(TaN);

    分子式:NTa

    分子量:194.955

    精确质量:194.951

    Psa:23.79

    EINECS号:234-788-4

    MDL号:MFCD00049568

    PubChem号:24860112

    密度:

    熔点:3360°C

    WGK Germany:3

    简介:Tantalumnitride(TaN)isaninorganicchemicalcompound.Itissometimesusedtocreatebarrieror\&quot;glue\&quot;layersbetweencopper,orotherconductivemetals,anddielectricinsulatorfilmssuchasthermaloxides.Thesefilmsaredepositedontopofsiliconwafersduringthemanufactureofintegratedcircuits,tocreatethinfilmsurfacemountresistorsandhasotherelectronicapplications.

    用途:1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

     12033-62-4 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12033-62-4

    品名:氮化钽azanylidynetantalum

    中文别名:氮化钽

    英文别名:Tantalummononitride;nitridotantalum;Tantalumnitride;Tantalumnitride(TaN);

    分子式:NTa

    分子量:194.955

    精确质量:194.951

    Psa:23.79

    EINECS号:234-788-4

    MDL号:MFCD00049568

    PubChem号:24860112

    密度:

    熔点:3360°C

    WGK Germany:3

    简介:Tantalumnitride(TaN)isaninorganicchemicalcompound.Itissometimesusedtocreatebarrieror\&quot;glue\&quot;layersbetweencopper,orotherconductivemetals,anddielectricinsulatorfilmssuchasthermaloxides.Thesefilmsaredepositedontopofsiliconwafersduringthemanufactureofintegratedcircuits,tocreatethinfilmsurfacemountresistorsandhasotherelectronicapplications.

    用途:1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

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    陶瓷12033-62-4
    罗恩 氮化钽 Tantalumnitride 当天发货

     1167.00
    R055306 99.5% metalsbasis
    安耐吉 氮化钽 Tantalumnitride 期货,请咨询

     1349.00
    A67012 particlesize:<1μm,99.5%
    安耐吉 氮化钽 Tantalumnitride 期货,请咨询

     1180.00
    A67013 particlesize:1-3μm,99.5%
    阿拉丁 氮化钽 Tantalumnitride 现货

     1215.90
    T119195 ≥99.5% metalsbasis
    源叶 氮化钽 Tantalumnitride 现货

     1351.00
    S41404 ≥99.5% metalsbasis
    陶瓷12039-88-2

    CAS号:12039-88-2

    品名:硅化钨TUNGSTENSILICIDE

    中文别名:硅化钨

    英文别名:Tungstensilicide;bis(λ<sup>3</sup>-silanylidyne)tungsten;

    分子式:Si2W

    分子量:240.011

    精确质量:239.905

    Psa:0.0

    EINECS号:234-909-0

    MDL号:MFCD00049704

    PubChem号:24864814

    外观与性状:蓝色-灰色粉末或片,无气味

    密度:9.88 g/cm3

    熔点:900ºC

    闪点:N/A

    安全说明:S22

    生产方法:1.将钨粉和硅粉按摩尔比1∶2配料,将钛粉与石墨粉按摩尔比1∶1配料,然后分别混合均匀;将W-Si混合粉装在坩埚中央,Ti-C混合粉均匀装在W-Si混合粉与坩埚之间,最后在所有混合粉的顶部装一层Ti-C混合粉,坩埚内所装的Ti-C混合粉与W-Si混合粉的重量比例为(0.8~1

    简介:Tungstensilicide(WSi2)isaninorganiccompound,asilicideoftungsten.Itisanelectricallyconductiveceramicmaterial.

     12039-88-2 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12039-88-2

    品名:硅化钨TUNGSTENSILICIDE

    中文别名:硅化钨

    英文别名:Tungstensilicide;bis(λ<sup>3</sup>-silanylidyne)tungsten;

    分子式:Si2W

    分子量:240.011

    精确质量:239.905

    Psa:0.0

    EINECS号:234-909-0

    MDL号:MFCD00049704

    PubChem号:24864814

    外观与性状:蓝色-灰色粉末或片,无气味

    密度:9.88 g/cm3

    熔点:900ºC

    闪点:N/A

    安全说明:S22

    生产方法:1.将钨粉和硅粉按摩尔比1∶2配料,将钛粉与石墨粉按摩尔比1∶1配料,然后分别混合均匀;将W-Si混合粉装在坩埚中央,Ti-C混合粉均匀装在W-Si混合粉与坩埚之间,最后在所有混合粉的顶部装一层Ti-C混合粉,坩埚内所装的Ti-C混合粉与W-Si混合粉的重量比例为(0.8~1

    简介:Tungstensilicide(WSi2)isaninorganiccompound,asilicideoftungsten.Itisanelectricallyconductiveceramicmaterial.

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    陶瓷12039-88-2
    阿法埃莎 硅化钨,99.5%(metalsbasis) Tungstensilicide,99.5%(me... 现货

     1081.00
    011551 99.5%
    陶瓷12018-09-6

    CAS号:12018-09-6

    品名:硅化铬Chromiumsilicide

    中文别名:硅化铬

    英文别名:CHROMIUMSILICIDE;

    分子式:CrSi2

    分子量:108.167

    精确质量:107.894

    Psa:0.0

    EINECS号:234-633-0

    MDL号:MFCD00168070

    外观与性状:银色至黑色粉末,无气味的

    密度:4.7

    熔点:1490ºC

    安全说明:S7

    危险类别码:R20/21/22

    海关编码:2901299090

    危险品标志:Xn

    简介:Chromium(II)silicideisaninorganiccompoundwiththechemicalformulaCrSi2.

    用途:用作陶瓷材料、高电阻薄膜材料。

     12018-09-6 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12018-09-6

    品名:硅化铬Chromiumsilicide

    中文别名:硅化铬

    英文别名:CHROMIUMSILICIDE;

    分子式:CrSi2

    分子量:108.167

    精确质量:107.894

    Psa:0.0

    EINECS号:234-633-0

    MDL号:MFCD00168070

    外观与性状:银色至黑色粉末,无气味的

    密度:4.7

    熔点:1490ºC

    安全说明:S7

    危险类别码:R20/21/22

    海关编码:2901299090

    危险品标志:Xn

    简介:Chromium(II)silicideisaninorganiccompoundwiththechemicalformulaCrSi2.

    用途:用作陶瓷材料、高电阻薄膜材料。

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    陶瓷12018-09-6
    罗恩 二硅化铬 Chromiumsilicide 5~7个工作日

     1028.00
    R025549 99.9% (高纯试剂)
    陶瓷22398-80-7

    CAS号:22398-80-7

    品名:磷化铟INDIUMPHOSPHIDE

    中文别名:磷化铟(III);

    英文别名:Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;

    分子式:InP

    分子量:145.792

    精确质量:145.878

    Psa:0.0

    RTECS号:NL1800000

    EINECS号:244-959-5

    MDL号:MFCD00016153

    PubChem号:24862718

    密度:4,787 g/cm3

    熔点:1070°C

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S24/25

    WGK Germany:3

    危险品运输编码:3288

    简介:磷化铟(Indiumphosphide,InP)是由磷和铟组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构。

    用途:用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1~6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。

     22398-80-7 详细信息

    陶瓷

    CAS号:22398-80-7

    品名:磷化铟INDIUMPHOSPHIDE

    中文别名:磷化铟(III);

    英文别名:Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;

    分子式:InP

    分子量:145.792

    精确质量:145.878

    Psa:0.0

    RTECS号:NL1800000

    EINECS号:244-959-5

    MDL号:MFCD00016153

    PubChem号:24862718

    密度:4,787 g/cm3

    熔点:1070°C

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S24/25

    WGK Germany:3

    危险品运输编码:3288

    简介:磷化铟(Indiumphosphide,InP)是由磷和铟组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构。

    用途:用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1~6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。

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    陶瓷22398-80-7
    阿拉丁 磷化铟 Indium(III)phosphide 期货,请咨询

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    I493363-6N /
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