CAS号:22398-80-7
品名:磷化铟INDIUMPHOSPHIDE
中文别名:磷化铟(III);
英文别名:Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;
分子式:InP
分子量:145.792
精确质量:145.878
Psa:0.0
RTECS号:NL1800000
EINECS号:244-959-5
MDL号:MFCD00016153
PubChem号:24862718
密度:4,787 g/cm3
熔点:1070°C
储存条件:库房通风低温干燥
安全说明:S24/25
WGK Germany:3
危险品运输编码:3288
简介:磷化铟(Indiumphosphide,InP)是由磷和铟组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构。
用途:用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1~6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。
陶瓷