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    品牌 产品 货期 价格 货号 规格 /
    基质和电极材料1303-11-3

    CAS号:1303-11-3

    品名:砷化铟Indiumarsenide

    中文别名:砷化铟

    英文别名:INDIUMARSENIDE;

    分子式:AsIn

    分子量:189.74

    精确质量:189.825

    Psa:0.0

    EINECS号:215-115-3

    MDL号:MFCD00016144

    外观与性状:灰色立方体晶体

    密度:

    熔点:936ºC

    危险品运输编码:UN1557

    危险类别:6.1

    包装等级:III

    简介:砷化铟是一种无机化合物,化学式InAs,是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体,熔点942°C。

     1303-11-3 详细信息

    基质和电极材料

    CAS号:1303-11-3

    品名:砷化铟Indiumarsenide

    中文别名:砷化铟

    英文别名:INDIUMARSENIDE;

    分子式:AsIn

    分子量:189.74

    精确质量:189.825

    Psa:0.0

    EINECS号:215-115-3

    MDL号:MFCD00016144

    外观与性状:灰色立方体晶体

    密度:

    熔点:936ºC

    危险品运输编码:UN1557

    危险类别:6.1

    包装等级:III

    简介:砷化铟是一种无机化合物,化学式InAs,是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体,熔点942°C。

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    基质和电极材料1303-11-3
    百灵威 砷化铟 Indiumarsenide,99.99% 35天

     2998.00
    JK984297 99.99%
    陶瓷12033-62-4

    CAS号:12033-62-4

    品名:氮化钽azanylidynetantalum

    中文别名:氮化钽

    英文别名:Tantalummononitride;nitridotantalum;Tantalumnitride;Tantalumnitride(TaN);

    分子式:NTa

    分子量:194.955

    精确质量:194.951

    Psa:23.79

    EINECS号:234-788-4

    MDL号:MFCD00049568

    PubChem号:24860112

    密度:

    熔点:3360°C

    WGK Germany:3

    简介:Tantalumnitride(TaN)isaninorganicchemicalcompound.Itissometimesusedtocreatebarrieror\"glue\"layersbetweencopper,orotherconductivemetals,anddielectricinsulatorfilmssuchasthermaloxides.Thesefilmsaredepositedontopofsiliconwafersduringthemanufactureofintegratedcircuits,tocreatethinfilmsurfacemountresistorsandhasotherelectronicapplications.

    用途:1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

     12033-62-4 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12033-62-4

    品名:氮化钽azanylidynetantalum

    中文别名:氮化钽

    英文别名:Tantalummononitride;nitridotantalum;Tantalumnitride;Tantalumnitride(TaN);

    分子式:NTa

    分子量:194.955

    精确质量:194.951

    Psa:23.79

    EINECS号:234-788-4

    MDL号:MFCD00049568

    PubChem号:24860112

    密度:

    熔点:3360°C

    WGK Germany:3

    简介:Tantalumnitride(TaN)isaninorganicchemicalcompound.Itissometimesusedtocreatebarrieror\"glue\"layersbetweencopper,orotherconductivemetals,anddielectricinsulatorfilmssuchasthermaloxides.Thesefilmsaredepositedontopofsiliconwafersduringthemanufactureofintegratedcircuits,tocreatethinfilmsurfacemountresistorsandhasotherelectronicapplications.

    用途:1.用来制造精确片状电阻的材料,氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。用作超硬质材料添加剂,可制备纯的五氯化钽:用于喷涂,增加变压器、集成线路、二极管的电稳定性。

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    陶瓷12033-62-4
    百灵威 氮化钽 Tantalumnitride,99.5%,met... 1天

     327.00
    JK192396 99.5%
    印刷电子105598-27-4

    CAS号:105598-27-4

    品名:2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile

    中文别名:2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯

    英文别名:X1021;1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile;2,3,6,7,10,11-hexacyanohexaazatriphenylene;hexaazatriphenylene(CN)6;hexaazatriphenylenehexacarbonitrile;2,3,6,7,10,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene;1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile;

    分子式:C18N12

    分子量:384.273

    精确质量:384.037

    Psa:220.08

    密度:1.9±0.1g/cm3

    沸点:988.7±65.0°Cat760mmHg

    闪点:247.4±19.5°C

    折射率:1.873

    储存条件:室温

    蒸汽压:0.0±0.3mmHgat25°C

     105598-27-4 详细信息

    印刷电子

    CAS号:105598-27-4

    品名:2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile

    中文别名:2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲;2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯

    英文别名:X1021;1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile;2,3,6,7,10,11-hexacyanohexaazatriphenylene;hexaazatriphenylene(CN)6;hexaazatriphenylenehexacarbonitrile;2,3,6,7,10,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene;1,4,5,8,9,12-Hexaaza-triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile;

    分子式:C18N12

    分子量:384.273

    精确质量:384.037

    Psa:220.08

    密度:1.9±0.1g/cm3

    沸点:988.7±65.0°Cat760mmHg

    闪点:247.4±19.5°C

    折射率:1.873

    储存条件:室温

    蒸汽压:0.0±0.3mmHgat25°C

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    印刷电子105598-27-4
    百灵威 HAT-CN6 HAT-CN6,99%,sublimedgrade 35天

     3500.00
    JK992281 99%
    碳纳米材料99685-96-8

    CAS号:99685-96-8

    品名:巴克明斯特富勒烯Buckminsterfullerene

    中文别名:巴克明斯特富勒体;足球烯;巴基球;富勒烯C60;巴克球C60;福勒烯;巴克明斯特·富勒烯;富勒烯C60;巴克球C60;

    英文别名:(C60-Ih)[5,6]fullerene;[60]Fullerene;Buckyball;Fullerene-C60;C60fullerene;Carbon(fullerene-C60);[5,6]Fullerene-C60;fullereneC60;FULLERENE;FullereneC60;FULLERENC60;FULLERENC60;C60;

    分子式:C60

    分子量:720.642

    精确质量:720.0

    Psa:0.0

    UNII号:NP9U26B839

    外观与性状:黑色至棕色结晶粉末

    密度:5.568

    熔点:&>280ºC(lit.)

    闪点:94ºC

    折射率:1.813

    稳定性:Stable. Highly flammable. Incompatible with strong oxidizing agents.

    储存条件:Dark Room

    安全说明:S26; S36

    危险类别码:R36/37

    危险品运输编码:UN1325

    危险类别:4.1

    包装等级:III

    危险品标志:Xi

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P261; P305 + P351 + P338

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H319; H335

     99685-96-8 详细信息

    碳纳米材料

    CAS号:99685-96-8

    品名:巴克明斯特富勒烯Buckminsterfullerene

    中文别名:巴克明斯特富勒体;足球烯;巴基球;富勒烯C60;巴克球C60;福勒烯;巴克明斯特·富勒烯;富勒烯C60;巴克球C60;

    英文别名:(C60-Ih)[5,6]fullerene;[60]Fullerene;Buckyball;Fullerene-C60;C60fullerene;Carbon(fullerene-C60);[5,6]Fullerene-C60;fullereneC60;FULLERENE;FullereneC60;FULLERENC60;FULLERENC60;C60;

    分子式:C60

    分子量:720.642

    精确质量:720.0

    Psa:0.0

    UNII号:NP9U26B839

    外观与性状:黑色至棕色结晶粉末

    密度:5.568

    熔点:&>280ºC(lit.)

    闪点:94ºC

    折射率:1.813

    稳定性:Stable. Highly flammable. Incompatible with strong oxidizing agents.

    储存条件:Dark Room

    安全说明:S26; S36

    危险类别码:R36/37

    危险品运输编码:UN1325

    危险类别:4.1

    包装等级:III

    危险品标志:Xi

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P261; P305 + P351 + P338

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H319; H335

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    碳纳米材料99685-96-8
    百灵威 富勒烯C60 FullereneC60,99.5% 1天

     950.00
    JK371111 99.5%
    陶瓷12063-98-8

    CAS号:12063-98-8

    品名:磷化镓gallanylidynephosphane

    中文别名:磷化镓

    英文别名:Galliumphosphide;Galliummonophosphide;EINECS235-057-2;

    分子式:GaP

    分子量:100.697

    精确质量:99.8993

    Psa:0.0

    RTECS号:LW9675000

    EINECS号:235-057-2

    MDL号:MFCD00016109

    PubChem号:24874213

    密度:

    熔点:1480ºC

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S26

    危险类别码:R36/37

    危险品运输编码:UN 3288

    危险品标志:Xi

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P261; P305 + P351 + P338

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H319; H335

    简介:磷化镓(GaP)是镓的磷化物(英语:Phosphide),是无机化合物,也是半导体材料,其间接能隙为2.26eV(300K)。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色,但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子,其颜色会变深。磷化镓无味,不会溶于水。若要变成N型半导体,需要掺杂硫或是碲,若要制作P型半导体,需要掺杂锌。磷化镓常用在光学系统中,其折射率在波长262nm(UV)时为4.30,波长550nm(green)时为3.45,波长840nm(IR)时为3.19。

     12063-98-8 详细信息

    陶瓷

    CAS号:12063-98-8

    品名:磷化镓gallanylidynephosphane

    中文别名:磷化镓

    英文别名:Galliumphosphide;Galliummonophosphide;EINECS235-057-2;

    分子式:GaP

    分子量:100.697

    精确质量:99.8993

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    RTECS号:LW9675000

    EINECS号:235-057-2

    MDL号:MFCD00016109

    PubChem号:24874213

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    熔点:1480ºC

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S26

    危险类别码:R36/37

    危险品运输编码:UN 3288

    危险品标志:Xi

    信号词:Warning

    危险性防范说明:P261; P305 + P351 + P338

    危险标志:GHS07

    危险性描述:H319; H335

    简介:磷化镓(GaP)是镓的磷化物(英语:Phosphide),是无机化合物,也是半导体材料,其间接能隙为2.26eV(300K)。其多晶的材料为淡橙色。未掺入杂质的单晶芯片会是透明的橙色,但大量掺入杂质的芯片因为吸收自由电子,其颜色会变深。磷化镓无味,不会溶于水。若要变成N型半导体,需要掺杂硫或是碲,若要制作P型半导体,需要掺杂锌。磷化镓常用在光学系统中,其折射率在波长262nm(UV)时为4.30,波长550nm(green)时为3.45,波长840nm(IR)时为3.19。

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    陶瓷12063-98-8
    百灵威 磷化镓 Galliumphosphide,99.99%,m... 35天

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    JK430062 99.99%
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