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    陶瓷22398-80-7

    CAS号:22398-80-7

    品名:磷化铟INDIUMPHOSPHIDE

    中文别名:磷化铟(III);

    英文别名:Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;

    分子式:InP

    分子量:145.792

    精确质量:145.878

    Psa:0.0

    RTECS号:NL1800000

    EINECS号:244-959-5

    MDL号:MFCD00016153

    PubChem号:24862718

    密度:4,787 g/cm3

    熔点:1070°C

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S24/25

    WGK Germany:3

    危险品运输编码:3288

    简介:磷化铟(Indiumphosphide,InP)是由磷和铟组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构。

    用途:用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1~6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。

     22398-80-7 详细信息

    陶瓷

    CAS号:22398-80-7

    品名:磷化铟INDIUMPHOSPHIDE

    中文别名:磷化铟(III);

    英文别名:Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;

    分子式:InP

    分子量:145.792

    精确质量:145.878

    Psa:0.0

    RTECS号:NL1800000

    EINECS号:244-959-5

    MDL号:MFCD00016153

    PubChem号:24862718

    密度:4,787 g/cm3

    熔点:1070°C

    储存条件:库房通风低温干燥

    安全说明:S24/25

    WGK Germany:3

    危险品运输编码:3288

    简介:磷化铟(Indiumphosphide,InP)是由磷和铟组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构。

    用途:用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1~6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。

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    陶瓷22398-80-7
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