镓

CAS号：7440-55-3

品名：镓galliumatom

中文别名：镓锭;金属镓;4,6-二硝基-2-仲丁;4,6-二硝基-2-仲丁基苯酚乙醇胺盐;

英文别名：GALLIUM;GALLIUM99+5G;(67)gallium;Gallium(Germ.);GalliummetalN;Galliumingots;galliumpellet;

分子式：GaH3

分子量：72.7468

精确质量：71.949

Psa：0.0

RTECS号：LW8600000

UNII号：CH46OC8YV4

外观与性状：淡灰色固体

密度：5.904g/mLat 25°C(lit.)

沸点：2403°C(lit.)

熔点：29.8°C(lit.)

稳定性：Stable, but moisture sensitive. Incompatible with strong acids, strong bases, halogens, strong oxidizing agents.

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S26-S45-S36/37/39-S36-S28-S27

危险类别码：R36/37/38

WGK Germany：3

危险品运输编码：UN 3264 8/PG 3

危险类别：8

包装等级：III

危险品标志：Xi

用途：镓主要用作制半导体化合物，如砷化镓、磷化镓等，以及用作锗、硅半导体的掺杂元素。也用于制镓合金，如镓钒、镓锂、镓锆等。可用作超导体。与铋、锌、铅等可制成低熔合金。高纯镓主要用于生产GaAs、GaN、Gap等化合物半导体材料、超导材料、高纯合金、核反应堆的热载体等。也可用作单晶硅、单晶锗掺杂元素。纯度为99999%（7N镓）主要用于制造砷化镓、磷化镓、锑化镓等，用于制造LED和红外器件。纯度为999999%（8N镓），主要用作分子束外延（MBE）的镓源制造超晶格、量子阱等最先进的半导体器件。高纯镓还可以作为永磁材料等合金的添加剂。用于制造化合物半导体材料和高纯合金。在核反应堆中用作热交换介质。

镓

CAS号：74974-60-0

品名：三氟甲磺镓Gallium(III)Trifluoromethanesulfonate

中文别名：三氟甲磺酸镓;三氟甲基磺酸镓;三氟甲烷磺酸镓;

英文别名：gallium,trifluoromethanesulfonate;

分子式：C3F9GaO9S3

分子量：516.93

精确质量：515.782

Psa：196.74

密度：1.7g/cm3

沸点：162ºC at 760 mmHg

安全说明：S25-S45-S36-S37-S39

危险类别码：R34

海关编码：2904909090

镓

CAS号：69365-72-6

品名：硝酸镓(III)水合物Gallium(III)nitratehydrate

中文别名：硝酸镓(III)水合物;硝酸镓(III),水合物;硝酸镓;水合硝酸镓;

英文别名：gallium,trinitrate,hydrate;

分子式：GaH2N3O10

分子量：273.753

精确质量：272.9

Psa：215.87

RTECS号：LW9625000

EINECS号：236-815-5

MDL号：MFCD00149723

PubChem号：24853293

密度：

沸点：83ºC at 760 mmHg

熔点：110°C (dec.)(lit.)

稳定性：Stable. Oxidizer - contact with combustible material may lead to fire. Incompatible with reducing agents, combustible material.

安全说明：S17; S26; S36/37/39

危险类别码：R8; R36/37/38

WGK Germany：3

危险品运输编码：UN 1477 5.1/PG 3

危险类别：5.1

包装等级：III

危险品标志：O; Xi

信号词：Danger

危险性防范说明：P220; P261; P305 + P351 + P338

危险标志：GHS03, GHS07

危险性描述：H272; H315; H319; H335

生产方法：将金属镓或氢氧化镓溶于热的浓硝酸中,将溶液冷却即可析出八水合物晶体。

简介：硝酸镓是一种无机化合物，化学式为Ga(NO3)3。

镓

CAS号：12024-21-4

品名：氧化镓Gallium(Iii)Oxide(MetalsBasis)

中文别名：三氧化二镓;

英文别名：oxo(oxogallanyloxy)gallane;Galliumtrioxide;Galliumoxide;Gallium(III)oxide;

分子式：Ga2O3

分子量：187.444

精确质量：185.836

Psa：43.37

RTECS号：LW9650000

EINECS号：234-691-7

MDL号：MFCD00011020

PubChem号：24846434

外观与性状：白色无臭粉末

密度：5.88

熔点：1740ºC

折射率：1.92

稳定性：Stable. Incompatible with magnesium.

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S24/25

简介：Gallium(III)oxide(Ga2O3)isachemicalcompoundusedinvacuumdepositionandaspartofthemanufacturingofsemiconductordevices.

用途：用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。用作高纯分析试剂、半导体材料。

镓

CAS号：1303-00-0

品名：砷化镓gallanylidynearsane

中文别名：砷化镓

英文别名：EINECS215-114-8;Galliummonoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUMARSENIDE;

分子式：AsGa

分子量：144.645

精确质量：143.847

Psa：0.0

RTECS号：LW8800000

EINECS号：215-114-8

MDL号：MFCD00011017

PubChem号：24859765

外观与性状：灰色立方体晶体

密度：5.31g/mLat 25°C(lit.)

熔点：1238°C

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61

危险类别码：R23/25

WGK Germany：3

海关编码：2853009022

危险品运输编码：UN 1557 6.1/PG 2

危险类别：6.1

包装等级：II

危险品标志：T; N

信号词：Danger

危险性防范说明：P201; P308 + P313

危险标志：GHS08

危险性描述：H350; H372

简介：砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路[a]、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

用途：用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。

镓

CAS号：12024-14-5

品名：碲化镓(II)GALLIUMTELLURIDE

中文别名：碲化镓;

英文别名：GALLIUMTELLURIDE

分子式：GaHTe

分子量：198.331

精确质量：199.84

Psa：0.0

EINECS号：234-690-1

MDL号：MFCD00135536

密度：5.440

熔点：824°C

储存条件：<p>常温密闭，阴凉通风干燥处</p>

安全说明：S22; S24/25

危险类别码：R22; R36/37/38

危险品标志：Xn

生产方法：加热熔化按化学计量碲和镓的混合物可制得GaTe。

简介：Gallium(II)telluride,GaTe,isachemicalcompoundofgalliumandtellurium.ThereisresearchinterestinthestructureandelectronicpropertiesofGaTebecauseofthepossibilitythatit,orrelatedcompounds,mayhaveapplicationsintheelectronicsindustry.Galliumtelluridecanbemadebyreactingtheelementsorbymetalorganicvapourdeposition(MOCVD)..GaTeproducedfromtheelementshasamonocliniccrystalstructure.Eachgalliumatomistetrahedrallycoordinatedby3telluriumandonegalliumatom.Thegallium-galliumbondlengthintheGa2unitis2.43Angstrom.ThestructureconsistsoflayersandcanbeformulatedasGa24+2Te2−.Thebondingwithinthelayersisionic-covalentandbetweenthelayersispredominantlyvanderWaals.GaTeisclassifiedasalayeredsemiconductor(likeGaSeandInSewhichhavesimilarstructures).Itisadirectbandgapsemiconductorwithanenergyof1.65eVatroomtemperature.Ahexagonalformcanbeproducedbylowpressuremetalorganicvapourdeposition(MOCVD)fromalkylgalliumtelluridecubanese.g.from(t-butylGa(μ3-Te))4.Thesecubanesareso-calledbecausetheyhaveastructurerelatedtoC8H8,cubane.Thecoreconsistsofacubeofeightatoms,fourgallium,andfourtelluriumatoms.Eachgalliumhasanattachedt-butylgroupandthreeadjacenttelluriumatomsandeachtelluriumhasthreeadjacentgalliumatoms.Thehexagonalform,whichiscloselyrelatedtothemonoclinicform,containingGa24+units,convertstothemonoclinicformwhenannealedat500°C.