纳米粒子:金属和金属陶瓷

CAS号：7440-57-5

品名：金goldatom

中文别名：金,海绵状;

英文别名：E175;AUROUS;AURIC;Glod;GOLD;gold-197;

分子式：Au

分子量：196.967

精确质量：196.967

Psa：0.0

RTECS号：MD5420000

UNII号：79Y1949PYO

外观与性状：橙色-黄色-棕色-黄色粉末

密度：19.3g/mLat 25°C(lit.)

沸点：2808°C(lit.)

熔点：1063°C(lit.)

闪点：4°C

折射率：n20/589.3 1.523

稳定性：Stable. May react with halogens, strong oxidizing agents, ammonia, hydrogen peroxide. Reaction with ammonia or hydrogen peroxide may form explosive materials.

储存条件：2-8ºC

安全说明：S26-S36/37/39-S45-S62-S36/37

危险类别码：R36/38

WGK Germany：3

危险品运输编码：UN 1789 8/PG 3

危险类别：6.1

包装等级：II

危险品标志：Xi; Xn; F

用途：用作货币、珠宝饰物、牙科材料和电镀金属。金的量常用金衡制表示，并以“克拉”(carat，1克拉=2g)表示合金中金的纯度。24K就是纯金。金还用于制造各种电器、红外光反射器和玻璃着色剂。作为半导体连接所需的金线原料和镀金材料。超细金粉是制备细线金浆、低温金浆及金钯、金铂钯、金银钯等优良导体浆料的主要导电材料。半导体工业用作镀金材料。

气相沉积前驱体

CAS号：10026-04-7

品名：四氯硅烷Tetrachlorosilane

中文别名：氯化硅(IV);

英文别名：(1303)SILICONCHLORIDE;Dinitridedisiliconoxide;siliconoxynitrile;siliconchloride;MIXTUREOF86%DICHLORODIMETHYLSILANEAND14%SILICON(IV)CHLORIDE;SAMARIUM,FOIL;SILICONTETRACHLORIDEFORSYNTHESIS;silicontetrachloride;SILICON(IV)CHLORIDE;SiliconTetrachloride;TETRACHLOROSILANE;SILANE,TETRACHLORO-;SILICONTETRACHLORIDE;Perchlorosilane;tetra-chlorosilane;Silicon(IV)chloride;SILICONTETRACHLORIDE,REAGENT(50ML);Siliconoxynitride;SILICIUMTETRACHLORID,EXTRAPURE;

分子式：Cl4Si

分子量：169.898

精确质量：167.852

Psa：0.0

RTECS号：VW0525000

EINECS号：233-054-0

MDL号：MFCD00011229

外观与性状：无色或淡黄色冒烟的液体

密度：1.483g/mLat 25°C(lit.)

沸点：57.6°C(lit.)

熔点：−70°C(lit.)

闪点：57.6°C

折射率：1.413

稳定性：Stability Moisture sensitive - reacts violently with water. Incompatible with water, acids, bases, alcohols, alkali metals, organics, powdered metals.

储存条件：库房通风低温干燥,与碱类、食品添加剂分开存放

蒸汽压：420 mm Hg ( 37.7 °C)

安全说明：S26-S7/8-S45-S36/37/39-S28-S27

危险类别码：R14; R36/37/38

WGK Germany：1

海关编码：2827399000

危险品运输编码：UN 3264 8/PG 2

危险类别：8

包装等级：II

危险品标志：Xi

信号词：Danger

危险性防范说明：P280; P301 + P310 + P330; P303 + P361 + P353; P304 + P340 + P310; P305 + P351 + P338; P403 + P233

危险标志：GHS05, GHS06

危险性描述：H314; H332; H335; H336; H351; H373

简介：四氯化硅是化学式为SiCl4的无机化合物，1823年由永斯·贝采利乌斯首次发现。

用途：用于制造有机硅化合物，如硅酸酯、有机硅油、高温绝缘漆、有机硅树脂、硅橡胶和耐热垫衬材料。高纯度四氯化硅为制造多晶硅、高纯二氧化硅和无机硅化合物、石英纤维的材料。军事工业用于制造烟幕剂。冶金工业用于制造耐腐蚀硅铁。铸造工业用作脱模剂。四氯化硅是生产高纯硅的副产物。它不仅是生产光纤预制棒的主要原料，还是无机硅、有机硅、橡胶工业的主要原料，用于电子、航空、精密铸造等领域。用于制取纯硅、硅酸乙酯等，也用于制取烟幕剂。

导电聚合物和单体

CAS号：3039-83-6

品名：乙烯基磺酸钠Sodiumethylenesulphonate

中文别名：乙烯基磺酸钠盐;

英文别名：SODIUMVINYLSULFONATE;Einecs221-242-5;ethenesulfonicacid,sodiumsalt;Sodiumethenesulfonate;VinylsulfonicAcidSodiumSalt;SODIUMETHYLENESULFONATE;vinylsulfonatesodiumsalt;Ethylenesulfonicacidsodiumsalt;Natriumethylensulfonat15;SODIUMVINYLSULPHONATE;SodiumVinylsulfonate;Sodiumvinylsulphonate;SodiuMethylenesulph;Vinylsulfonate;sodiumethylenemonosulfonate;SVS;vinylsulfonicacidsodiumsalt;

分子式：C2H3NaO3S

分子量：130.098

精确质量：129.97

Psa：65.58

MDL号：MFCD00007520

外观与性状：透明至黄色液体

密度：1.176g/mLat 25°C

折射率：n20/D 1.376

稳定性：Stable. Incompatible with strong oxidizing agents.

安全说明：S26-S27-S28-S36/37/39

危险类别码：R36/38

WGK Germany：-

海关编码：3402110000

简介：Vinylsulfonicacidisanorganosulfurcompound.Itisacolorlessliquidthattendstopolymerizetopolyvinylsulfonicacid.Itispreparedbydehydrationofisethionicacid.Moreeasilyhandledthantheacidisthesalt,sodiumvinylsulfonate,whichiscommerciallysuppliedasanaqueoussolution.

用途：用作乳液聚合涂料的单体，如与醋酸乙烯、丙烯酸、苯乙烯-丁二烯等共聚，这些涂料可广泛用于建筑内、外涂料，工厂设备和船舶内用涂料；此外。还可用作离子交换树脂、纤维整理剂的单体；染料助剂；电镀光泽剂；香料剂医药原料。

硫属化合物

CAS号：1306-24-7

品名：硒化镉cadmiumselenide

中文别名：硒化镉

英文别名：Cadmiumselenide;CadmiumSelenide;selanylidenecadmium;

分子式：CdSe

分子量：191.371

精确质量：193.82

Psa：0.0

RTECS号：EV2300000

EINECS号：215-148-3

MDL号：MFCD00010917

PubChem号：24854687

外观与性状：黑色结晶粉末/液体

密度：5.81

熔点：1350ºC

安全说明：36/37-45-60-61

危险类别码：R23/25

危险品运输编码：UN 2570 6

危险类别：6.1

包装等级：II

危险品标志：T; N

信号词：Danger

危险性防范说明：P201; P210; P273; P301 + P310; P308 + P313; P331

危险标志：GHS02, GHS07, GHS08, GHS09

危险性描述：H225; H304; H315; H336; H350; H361d; H373; H411

简介：CadmiumselenideisaninorganiccompoundwiththeformulaCdSe.Itisablacktored-blacksolidthatisclassifiedasaII-VIsemiconductorofthen-type.Muchofthecurrentresearchoncadmiumselenideisfocusedonitsnanoparticles.

用途：用于电子发射器和光谱分析、光导体、半导体、光敏元件等。