镓

CAS号：12036-44-1

品名：三氧化二铥Thuliumoxide

中文别名：三价氧化铥;氧化铥/纳米氧化铥;氧化铥;氧化铥(III);

英文别名：oxygen(2-),thulium(3+);Thulium(III)oxide;

分子式：O3Tm2

分子量：385.867

精确质量：385.853

Psa：43.37

EINECS号：234-851-6

MDL号：MFCD00011285

PubChem号：24889201

外观与性状：浅绿色固体

密度：

熔点：2425ºC

稳定性：Stable under normal temperatures and pressures. Absorbs carbon dioxide from the air.

储存条件：Keep container closed when not in use. Store in a cool, dry, well-ventilated area away from incompatible substances.

安全说明：S26-S36

危险类别码：R36/37/38

WGK Germany：3

危险品标志：Xi

简介：氧化铥是一种无机化合物，化学式为Tm2O3。

用途：主要用于制造携带式X射线透射装置。也可用作反应堆中的控制材料。

镓

CAS号：12024-21-4

品名：氧化镓Gallium(Iii)Oxide(MetalsBasis)

中文别名：三氧化二镓;

英文别名：oxo(oxogallanyloxy)gallane;Galliumtrioxide;Galliumoxide;Gallium(III)oxide;

分子式：Ga2O3

分子量：187.444

精确质量：185.836

Psa：43.37

RTECS号：LW9650000

EINECS号：234-691-7

MDL号：MFCD00011020

PubChem号：24846434

外观与性状：白色无臭粉末

密度：5.88

熔点：1740ºC

折射率：1.92

稳定性：Stable. Incompatible with magnesium.

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S24/25

简介：Gallium(III)oxide(Ga2O3)isachemicalcompoundusedinvacuumdepositionandaspartofthemanufacturingofsemiconductordevices.

用途：用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。用作高纯分析试剂、半导体材料。

镓

CAS号：1303-00-0

品名：砷化镓gallanylidynearsane

中文别名：砷化镓

英文别名：EINECS215-114-8;Galliummonoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUMARSENIDE;

分子式：AsGa

分子量：144.645

精确质量：143.847

Psa：0.0

RTECS号：LW8800000

EINECS号：215-114-8

MDL号：MFCD00011017

PubChem号：24859765

外观与性状：灰色立方体晶体

密度：5.31g/mLat 25°C(lit.)

熔点：1238°C

储存条件：库房通风低温干燥

安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61

危险类别码：R23/25

WGK Germany：3

海关编码：2853009022

危险品运输编码：UN 1557 6.1/PG 2

危险类别：6.1

包装等级：II

危险品标志：T; N

信号词：Danger

危险性防范说明：P201; P308 + P313

危险标志：GHS08

危险性描述：H350; H372

简介：砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路[a]、红外线发光二极管、半导体激光器和太阳电池等元件。

用途：用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。