钨

CAS号：7440-33-7

品名：钨tungstenatom

中文别名：钨粉;

英文别名：Tungstengranular;TungstenICPStd.;

分子式：W

分子量：183.84

精确质量：183.951

Psa：0.0

RTECS号：YO7175000

UNII号：V9306CXO6G

外观与性状：金属丝

密度：19.3

沸点：5660ºC

熔点：3410ºC

闪点：-23ºC

稳定性：Stable. Dust is flammable, though not likely to present a hazard if normal good practice is used.

储存条件：库房通风低温干燥,包装密闭

安全说明：S6-S26-S36

危险类别码：R11; R36/38

危险品运输编码：UN 3089

危险类别：4.1

包装等级：III

危险品标志：F; Xi

信号词：Danger

危险性防范说明：P210; P305 + P351 + P338

危险标志：GHS02, GHS07

危险性描述：H228; H315; H319

银

CAS号：7440-22-4

品名：银粉silveratom

中文别名：银粉/纳米银粉;羧基银纳米粒子;纳米银粉;银;

英文别名：Silverwire;

分子式：Ag

分子量：107.868

精确质量：106.905

Psa：0.0

UNII号：3M4G523W1G

外观与性状：白色固体

密度：1.135 g/mL at 25ºC

沸点：2212ºC

熔点：961ºC

闪点：232 °F

折射率：n20/D 1.333

稳定性：Stable. Substances to be avoided include strong acids and strong bases, tartaric acid, oxalic acid. Blackened by contact with ozone, hydrogen sulfide, sulfur. Powder is highly flammable.

储存条件：库房低温,通风,干燥

安全说明：S24/25

危险类别码：R22

海关编码：71069110

危险品运输编码：UN 3264

危险类别：6.1

包装等级：III

危险品标志：Xi

信号词：Danger

危险性防范说明：P210; P305 + P351 + P338; P370 + P378; P403 + P235

危险标志：GHS02, GHS07

危险性描述：H225; H319; H336

用途：用作电镀及制作精密合金、焊料等的原料。

铟

CAS号：7440-74-6

品名：铟indiumatom

中文别名：铟粒;

英文别名：UNII-045A6V3VFX;indiumpowder;Indium;EINECS231-180-0;indio;

分子式：H3In

分子量：117.842

精确质量：117.927

Psa：0.0

RTECS号：NL1050000

UNII号：045A6V3VFX

外观与性状：固体

密度：7.3g/mLat 25°C(lit.)

沸点：2000 °C

熔点：156 °C

闪点：2072°C

稳定性：Stable. Incompatible with strong acids, strong oxidizing agents, sulfur.

储存条件：库房通风低温干燥,与食品添加剂分开存放

蒸汽压：&<0.01 mm Hg ( 25 °C)

安全说明：S9-S16-S36/37/39-S36-S26-S45-S28

危险类别码：R20/21/22; R36/37/38

WGK Germany：3

危险品运输编码：UN 3089 4.1/PG 2

危险类别：8

包装等级：III

危险品标志：Xn

信号词：Warning

危险性防范说明：P261; P280; P305 + P351 + P338

危险标志：GHS07

危险性描述：H302 + H312 + H332; H315; H319; H335

简介：Indiumelementisusedinthesynthesisoftherapeuticparticlescontainingmetalions;characterizedbytheuseofuniqueligandsetscapableofmakingthemetalioncomplexsolubleinbiolgicalmediatoinduceselectivetoxicityindiseasedcells.

用途：用于制备化合物半导体材料及半导体的掺杂剂等