硫属化合物
CAS号：12056-07-4
品名：硒化铟(III)INDIUMSELENIDE
中文别名：硒化铟;
英文别名：diindiumtriselenide;Indiumselenide/99.9;
分子式：In2Se3
分子量：466.516
精确质量：469.557
Psa：0.0
EINECS号：235-016-9
MDL号：MFCD00016147
PubChem号：24865178
密度：5.67g/mLat 25°C(lit.)
熔点：890°C
安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61
危险类别码：R23/25
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN 3283 6.1/PG 3
包装等级：III
危险品标志：T; N
信号词：Danger
危险性防范说明：P261; P273; P301 + P310; P311; P501
危险标志：GHS06, GHS08, GHS09
危险性描述：H301; H331; H373; H410
生产方法：通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有四种二元化合物：In4Se3，InSe，In5Se6，In2Se3。在密闭的真空管中，按正确比例熔化组成元素能制得每种化合物。
简介：Indium(III)selenideisacompoundofindiumandselenium.Ithaspotentialforuseinphotovoltaicdevicesandithasbeenthesubjectofextensiveresearch.Thetwomostcommonphases,αandβ,havealayeredstructure,whileγisa\"defectwurtzitestructure.\"Inall,therearefiveknownforms(α,β,γ,δ,κ).Theα-βphasetransitionisaccompaniedbyachangeinelectricalconductivity.Theband-gapofγ-In2Se3isapproximately1.9eV.Thecrystallineformofasamplecandependonthemethodofproduction,forexamplethinfilmsofpureγ-In2Se3havebeenproducedfromtrimethylindium,InMe3,andhydrogenselenide,H2Se,usingMOCVDtechniques.
