筛选出 7 条数据
| 品牌 | 产品 | 货期 | 价格 | 货号 | 规格 | / |
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CAS号：1302-74-5
品名：氧化铝Alumina,activated
中文别名：氧化铝,刚玉,金刚砂;活性氧化铝;
英文别名：ALUMINUMOXIDE;Aluminaactivated;
分子式：Al2O3
分子量：101.961
精确质量：101.948
Psa：43.37
RTECS号：BD1200000
EINECS号：603-397-4
密度：1.06 g/mL at 25ºC
熔点：2040ºC(lit.)
安全说明：S26
危险类别码：R36/37/38
海关编码：2818200000
危险品运输编码：UN1993
危险类别：3
包装等级：II
危险品标志：Xi
| Gelest | Aluminumoxidewafer Aluminumoxidewafe | 4-8周 | 询价 | W-ALO-51-50 | / |
规格：
Each
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CAS号：12031-63-9
品名：铌酸锂LITHIUMNIOBATE
中文别名：铌酸锂
英文别名：Lithiumniobate;niobate,lithium;Lithiumniobatewafer;lithiummethaniobate;LithiummetaniobatemLithiumniobiumoxideLithiumniobiumtrioxide;Rubidiumcolumbate;LITHIUMMETANIOBATE;Lithiumniobiumoxide;LITHIUMNIOBIUMOXIDE;niobiumlithiumoxide;
分子式：LiNbO3
分子量：147.846
精确质量：147.907
Psa：57.2
RTECS号：QT9800000
EINECS号：234-755-4
MDL号：MFCD00011080
PubChem号：24855373
外观与性状：白色粉末
密度：4,659 g/cm3
熔点：1275°C
稳定性：Stable. Incompatible with strong oxidizing agents.
安全说明：S22; S24/25
用途：在微波技术中用于调Q开关、光电调制、倍频、光参量振荡;掺加一定量的铁和其他金属杂质的LN晶体,可用作全息记录介质材料。也用于相位调解器、相位光栅调解器、大规模集成光学系统。还广泛用于红外探测器、高频宽道带滤波器等。为一种具有压电、铁电、电光、非线性光学、热电等多性能材料,在微声技术中用于表面波、体波、换能器元件。还可作全息记录介质材料。
| Gelest | LithiumNiobateWafer LithiumNiobateWafe | 4-8周 | 询价 | W-NBL-25-01 | / |
规格：
Each
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CAS号：7440-21-3
品名：硅siliconatom
中文别名：硅粉;单质硅;硅片;
英文别名：poroussilicon;siliconpowder;Silicon;
RTECS号：VW0400000
UNII号：Z4152N8IUI
外观与性状：银色-灰色固体
密度：2.33
沸点：2355ºC
熔点：1410ºC
稳定性：Stable. Fine powder is highly flammable. Incompatible with oxidizing agents, bases, carbonates, alkali metals, lead and aluminium oxides, halogens, carbides, formic acid.
储存条件：Flammables area
安全说明：S16-S33-S7/9
危险类别码：R11
WGK Germany：2
海关编码：2804690000
危险品运输编码：UN 2922 8/PG 2
危险类别：4.1
包装等级：III
危险品标志：F
信号词：Warning
危险性防范说明：P210
危险标志：GHS02
危险性描述：H228
用途：主要用作制多晶硅、单晶硅、硅铝合金及硅钢合金的化合物。
| Gelest | Siliconwafer Siliconwafe | 4-8周 | 询价 | W-SIP-76-0.4 | / |
规格：
Each
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| Gelest | Siliconwafer Siliconwafe | 4-8周 | 询价 | W-SIN-76-0.4 | / |
规格：
Each
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CAS号：22398-80-7
品名：磷化铟INDIUMPHOSPHIDE
中文别名：磷化铟(III);
英文别名：Phosphinidyneindium(III);INDIUM(III)PHOSPHIDE;indiummonophosphide;polycrystallinelump;Indiumphosphide(InP);InP;Indiumphsophidewafer;Indiumphosphidewafer;
分子式：InP
分子量：145.792
精确质量：145.878
Psa：0.0
RTECS号：NL1800000
EINECS号：244-959-5
MDL号：MFCD00016153
PubChem号：24862718
密度：4,787 g/cm3
熔点：1070°C
储存条件：库房通风低温干燥
安全说明：S24/25
WGK Germany：3
危险品运输编码：3288
用途：用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1～6-μm范围内的光源和接受器。在InP衬底上生长InGaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
| Gelest | Indiumphosphidewafer Indiumphosphidewafe | 4-8周 | 询价 | W-INP-51-0.3 | / |
规格：
Each
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CAS号：1303-00-0
品名：砷化镓gallanylidynearsane
中文别名：砷化镓
英文别名：EINECS215-114-8;Galliummonoarsenide;arsanylidynegallium;GALLIUMARSENIDE;
分子式：AsGa
分子量：144.645
精确质量：143.847
Psa：0.0
RTECS号：LW8800000
EINECS号：215-114-8
MDL号：MFCD00011017
PubChem号：24859765
外观与性状：灰色立方体晶体
密度：5.31g/mLat 25°C(lit.)
熔点：1238°C
储存条件：库房通风低温干燥
安全说明：S20/21; S28; S45; S60; S61
危险类别码：R23/25
WGK Germany：3
海关编码：2853009022
危险品运输编码：UN 1557 6.1/PG 2
危险类别：6.1
包装等级：II
危险品标志：T; N
信号词：Danger
危险性防范说明：P201; P308 + P313
危险标志：GHS08
危险性描述：H350; H372
用途：用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。
| Gelest | Galliumarsenidewafer Galliumarsenidewafe | 4-8周 | 询价 | W-GAL-51-0.5 | / |
规格：
Each
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CAS号：7440-56-4
品名：锗germane
中文别名：锗粉/锗粒/锗珠/锗片;锗粉;
英文别名：GERMANIUMMETAL;GERMANIUM:;germaniumatom;Germanium;germaniumelement;Germaniumpieces;Cermaniumpowder;
分子式：GeH4
分子量：76.6718
精确质量：77.9525
Psa：0.0
RTECS号：LY5200000
EINECS号：231-164-3
外观与性状：淡灰色-白色有光泽的脆性固体,无臭
密度：5.35g/mLat 25°C(lit.)
沸点：2830°C(lit.)
熔点：937°C(lit.)
稳定性：Stable. Slightly soluble in strong acids. Incompatible with strong oxidizing agents.
储存条件：Flammables area
安全说明：S26-S36/39-S2
危险类别码：R11; R36/38
WGK Germany：3
危险品运输编码：UN 3089 4.1/PG 2
危险类别：8
包装等级：III
危险品标志：F; Xi
信号词：Warning
危险性防范说明：P261; P305 + P351 + P338
危险标志：GHS07
危险性描述：H315; H319; H335
用途：用于提纯锗及半导体工业。
| Gelest | GermaniumWafer GermaniumWafe | 4-8周 | 询价 | W-GE-25-1.0 | / |
规格：
Each
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